在此之前,能够做到可编程,可读写,断电后存储数据不消失的半导体非易失性存储器,只有英特尔发明的EEPROM。
但是英特尔的EEPROM存在明显短板,那就是读写性能差、难以提高集成度等。
也就是说,英特尔根本不适合存储大容量的数据,因此只能用于计算机的BIOS引导芯片,用来引导计算机操作系统的启动。
而舛冈的解决思路,是“故意降低性能”。
简单来说,EEPROM的擦写数据方式是以字节为单位来进行的。
而到了NOR芯片当中,这些原本都拿着单独号码牌的数据,被打包成一个个“小集体”来看待,即以块为单位来进行擦和写。
在芯片里,“号码牌”本身就占据了电路的一部分,以前是一个房间一个号码牌,现在变成了一栋大楼一个号码牌,这么一来,“号码牌”就大大减少了,芯片的面积自然就缩小了,容量也更大,虽然写入速度变慢了,但是擦除速度却变快了。
性能总体还是降低了,但是这个代价换来的却是成本的巨大节约,达到了量产的要求。
而且速度也并非真正的慢,毕竟半导体内的电子都是以光速在运行,因此舛冈富士雄将之命名为FLASH,意思是速度像闪光灯一样快的存储,国内将之翻译成了“闪存”。
闪存的出现毫无疑问应该是跨时代的产品了,然而就算到了现在,全世界绝大多数产商都没有意识到它的真正价值,就算是舛冈富士雄所在的东芝,以及首先注意到闪存产业的INTEL,都将之定位在计算机的系统引导芯片这一狭小的应用范围里。
最关键的是舛冈富士雄在东芝内部完全不受待见。
舛冈富士雄二十八岁从日本半导体技术创始人之一——西泽润一门下博士毕业,当时引得岛国各大企业纷纷抛出橄榄枝,而他被东芝吸引的原因,是因为时任东芝超大规模集成电路研究所所长的武石喜幸的一句话——让我们一起做一个不存在于这个世界上的东西吧。
就为这么一个“大饼”,舛冈下定决心拒掉其他机会,投身东芝。
但因为其自由散漫的风格,无法让公司高层认为他可以带好团队,虽然在进入东芝的第一年就搞出了SAMOS存储器方面的新专利,并以此推动东芝与英特尔签署了相关交叉授权协议,却随后就被公司内部放逐了。
先是一度被调到销售部门,却业绩稀烂。后来又在工厂里折腾了好一遭,也没有干出啥成绩。
最后还是当年挖掘他的伯乐武石喜幸抬了一手,在一九八零年把他捞回研究部门。
发明NOR闪存芯片之后,新发明立刻引起了英特尔的注意。他们很快为此联系上了东芝和舛冈,并抢先在八八年量产了NOR闪存芯片
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